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镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体sih4和nh3，锦州组件价格，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，序数适中，阀组件价格，所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。---是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性，光伏发电组件价格，使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉，进-步增强了硅的应用范围。

芯片的背部减薄制程

1. grinding制程：

对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。