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电路板清洗技术

半水清洗技术

半水清洗主要采用和去离子水，再加上一定量的活性剂、添加剂所组成的清洗剂。该类清洗介于溶剂清洗和水清洗之间。这些清洗剂都属于，属于可燃性溶剂，闪点比较高，毒性比较低，使用上比较安全，但是须用水进行漂洗，然后进行烘干。有些清洗剂中添加5%~20%的水和少量表面活性剂，既降低了可燃性，又可使漂洗更为容易。半水清洗工艺特点是：

1） 清洗能力比较强，能同时除去极性污染物和非极性污染物，洗净能力---性较强；

2） 清洗和漂洗使用两种不同性质的介质，漂洗一般采用纯水；

3） 漂洗后要进行干燥。

该技术不足之处在于废液和废水处理是一个较为复杂和尚待解决的问题。

芯片的背部减薄制程

1. grinding制程：

对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，组件价格，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，单晶组件价格，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。