等离子刻蚀
硅片:硅单质材料的片状结构,厚度比较薄,主要有圆形和方形两种结构,有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料,光伏组件 价格走势,一般用作半导体集成电路的衬底,也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料,一般用于太阳能光伏发电,或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料,太阳能光伏组件价格,ic级别的纯度要求达到9n以上(99.9999999%),区熔单晶硅片甚至达到11n(99.999999999%)以上。通常通过直拉法(cz)和区熔法(fz)长晶得到,其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料,占据半导体材料市场的90%以上,是信息技术和集成电路的基础材料。
清洁印刷电路板的工具
除了印刷电路板清洁剂之外,您还需要额外的工具以帮助擦去并擦去碎屑。
1.无绒毛巾或超细纤维布–为了快速擦拭清洁溶液,毛巾可以---地工作。它们必须是无绒或超细纤维,光伏组件的价格走势,以减少在设备中留下碎屑的风险。
2. 软毛刷或画笔–小刷子可以---地进入微波电路板的小间隙。但是,请始终---刷毛较弱,以免刮擦电路。
3.烤箱,吹干机或台灯–尽管我们上面提到的清洁解决方案可以帮助清除碎屑,但其中一些可能会留下液体。为防止损坏电路板,请使用热源将其快速干燥。当遵循有关如何清洁电子电路板的步骤时,此方法。
刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,组件价格,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
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