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隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

1. 什么是“隐裂”

隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷，通俗的讲，就是一些肉眼不可见的细微（micro-crack）。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性，十分容易发生。

在晶体硅组件生产的工艺流程中，许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的---原因，可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本，晶硅电池片向越来越薄的方向发展，降低了电池片防止机械破坏的能力，更容易产生隐裂。

多晶硅电池片

多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，光伏组件 价格，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。目前太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，光伏组件价格，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆?厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的和混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，加入适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，其光电转换效率约12％左右，稍低于单晶硅太阳能电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。