扩散制结
太阳能电池需要一个大面积的pn结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池pn结的设备。管式扩散炉主要由石英舟的上部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用---液态源作为扩散源。把p型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将---带入石英容器，通过---和硅片进行反应，降级组件多少钱，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，收购组件多少钱，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了n型半导体和p型半导体的交界面，也就是pn结。这种方法制出的pn结均匀性好，实验组件多少钱，方块电阻的不均匀性小于百分之十，少子寿命可大于10ms。制造pn结是太阳电池生产基本也是关键的工序。因为正是pn结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
扩散
扩散是为电池片制造---，是为电池片制造p-n结，pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源，组件多少钱，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。
pocl3在大于600℃的条件下分解生成（pcl5）和（p2o5），pcl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气o2存在时，pcl5会分解成p2o5且释放出，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（psg），磷原子向硅中扩散，制得n型半导体。
pecvd
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
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