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等离子刻蚀

硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，ic级别的纯度要求达到9n以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11n（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（cz）和区熔法（fz）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。

焰熔法晶块料。  

晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法verneuil进行生产，经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下，当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。  

晶块料是白色半透明状的，国内现在很多人士尤其是迷恋它，看上去透明无色以为纯度---，其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。  

生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体，太阳能拆卸组件回收，不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度，旧组件回收，fe，ti，cr，mg等元素的熔化温度已经在2200度左右，这些技术杂质气化温度要到达4000度以上，这些金属杂质或者金属氧化物2050度---不会气化，他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质，如镁，钙等，但对里层的杂质---作用。