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电路板清洗技术

溶剂清洗技术

溶剂清洗主要是利用了溶剂的溶解力除去污染物。采用溶剂清洗，单晶硅组件多少钱，由于其挥发快，溶解能力强，故对设备要求简单。根据选用的清洗剂，可分为可燃性清洗剂和不可燃性清洗剂，前者主要包括有机烃类和醇类（如有机烃类、醇类、二醇酯类等），后者主要包括---烃和氟代烃类（如hcfc 和hfc 类）等。

hcfc 类清洗剂及其清洗工艺特点

这是一种含氢的氟氯烃，其蒸发潜热小、挥发性好，在---中容易分解，收购组件多少钱，破坏臭氧层的作用比较小，属于一种过渡性产品，规定在2040 年以前淘汰，所以，我们不使用该类清洗剂。

其存在的问题主要有两个：一是过渡性。因为对臭氧层还有破坏作用，只允许使用到 2040 年；二是价格比较高，清洗能力较弱，增加了清洗成本。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2，工程拆卸组件多少钱，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，香港---行政组件多少钱，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。