刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，被动组件收购，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，太阳能组件废品收购，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
电路板图设计完成后，接下来的工作便是制作电路板，这是电子小制作中的一项重要工作。制作电路板的过程就是将依据电路原理图设计出的电路板图实物化的过程，可以说制作出一块符合要求的电路板，小制作项目也就成功了一半。
制作电路板的过程包括描绘、腐蚀、钻孔和表面处理等步骤。我们仍以下图所示集成电路调频无线话筒为例，作具体制作方法的介绍。
隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
2. “隐裂”对组件性能的影响
晶硅太阳能电池的结构如下图所示，电池片产生的电流主要靠表---互垂直的主栅线和细栅线收集和导出。因此，当隐裂（多为平行于主栅线的隐裂）导致细栅线断裂时，电流将无法被有效输送至主栅线，从而导---池片部分乃至整片失效，阜阳组件收购，还可能造成碎片、热斑等，同时引起组件的功率衰减。
垂直于主栅线的隐裂几乎不对细栅线造成影响，因此造成电池片失效的面积几乎为零。
而正处于快速发展的薄膜太阳能电池，由于其材料、结构特性，不存在隐裂的问题。同时其表面通过一层透明导电薄膜收集和传输电流，即使电池片有小的瑕疵造成导电膜，也不会造成电池大面积失效。
有研究显示，组件中如果某个电池的失效面积在8%以内，则对组件的功率影响不大，并且组件中2/3的斜条纹隐裂对组件的功率没有影响。所以说，虽然隐裂是晶硅电池常见的问题，但也不必过度---。
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