镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,拆卸组件回收,然后通入适量的反应气体sih4和nh3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,单晶组件回收,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石,它是先通过拉单晶制作成硅棒,然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,所以硅元素具有特殊的物理化学性质,可用在化工、光伏、芯片等领域。---是在芯片领域,正式硅元素的半导体特性,使其成为了芯片的基石。在光伏领域,可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%,开采较为方便,可回收性强,所以价格低廉,进-步增强了硅的应用范围。
去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中,pocl3与o2反应生成p2o5淀积在硅片表面。p2o5与si反应又生成sio2和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的sio2,称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成,主要动力源有、氮气、压缩空气、纯水,热排风和废水。能够溶解二氧化硅是因为与二氧化硅反应生成易挥发的气体。若过量,回收组件hydgphs,反应生成的会进一步与反应生成可溶性的络和物六。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
一、硅片检测
硅片是太阳能电池片的载体,硅片的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、p/n型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,组件回收,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。
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