隐裂、热斑、pid效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
2. “隐裂”对组件性能的影响
晶硅太阳能电池的结构如下图所示,电池片产生的电流主要靠表---互垂直的主栅线和细栅线收集和导出。因此,当隐裂(多为平行于主栅线的隐裂)导致细栅线断裂时,电流将无法被有效输送至主栅线,从而导---池片部分乃至整片失效,还可能造成碎片、热斑等,同时引起组件的功率衰减。
垂直于主栅线的隐裂几乎不对细栅线造成影响,膜组件价格,因此造成电池片失效的面积几乎为零。
而正处于快速发展的薄膜太阳能电池,由于其材料、结构特性,不存在隐裂的问题。同时其表面通过一层透明导电薄膜收集和传输电流,即使电池片有小的瑕疵造成导电膜,也不会造成电池大面积失效。
有研究显示,组件中如果某个电池的失效面积在8%以内,则对组件的功率影响不大,并且组件中2/3的斜条纹隐裂对组件的功率没有影响。所以说,虽然隐裂是晶硅电池常见的问题,但也不必过度---。
刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,光伏组件价格走势,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
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1、清洗前先同时用干净软油漆刷(1英寸宽的刷较---)和压力约0.1mpa[即1kg/每平方厘米]干燥的压缩空气清除电路板上的积尘。
2、清洗可用洗电路板的清洗液(俗称洗板水),定影组件价格,此液可到专门店去买。如没有洗板水,可按如下操作:(现在我们一般---洗板水了)先用自来水冲洗,注意水流要柔,不能过猛,边冲边用软刷子仔细轻刷,电路板的两面均如是。
3、然后用软刷子沾上中性肥皂来仔细轻轻地清洗电路板的每一个地方,---是跳线插槽,插槽(cpu插槽,agp槽,pci槽,内存槽)的内侧和底部,ic插座的底部,南北桥芯片,bios芯片和其他每一个ic芯片的底下,大电容的底下等地方更应仔细清洗,操作时应注意不要直立安装的小电容等元件碰歪;如果发现洗出的肥皂沫很脏,则须用清水冲洗后,再用肥皂在刷洗一遍,直到所洗出的肥皂沫为白色的为止。
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