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电池片的知识？ 电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅

1、单晶硅电池片

单晶硅太阳能电池是当前开发得快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。将单晶硅棒切成片，薄膜组件收购，一般片厚约0.3毫米。硅片经过抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳能电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就硅片上形成p>;n结。然后采用丝网印刷法，贵州组件收购，精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。因此，单晶硅太阳能电池片就制成了。电池片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳能电池组件（太阳能电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流。

单晶硅太阳电池组件，括单晶硅太阳电池单体和封装方框；所述封装方框是正方形结构，单晶硅太阳电池单体安装于封装方框内。封装方框的相对两个边的外侧有凸榫，封装方框的另外相对的两个边外侧有与凸榫形状相吻合的凹槽，在凸榫外侧和凹槽底部有金属电极片，金属电极片与单晶硅太阳电池单体的电极电连接。单晶硅太阳电池具有制造技术成熟，报废组件收购，产品性能稳定，使用---，光电转化效率相对较高的特点。目前，传统的光伏电池组件以单晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池为主，辐照强度和组件温度对组件发电量的影响非常重要。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，太阳能组件废品收购，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。