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扩散制结

太阳能电池需要一个大面积的pn结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池pn结的设备。管式扩散炉主要由石英舟的上部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用---液态源作为扩散源。把p型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将---带入石英容器，通过---和硅片进行反应，南平组件收购，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了n型半导体和p型半导体的交界面，也就是pn结。这种方法制出的pn结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于百分之十，少子寿命可大于10ms。制造pn结是太阳电池生产基本也是关键的工序。因为正是pn结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。

太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。

芯片的背部减薄制程

1. grinding制程：

对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，收购拆卸组件价格，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。