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隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

形成“隐裂”的原因

外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。

高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。

原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。

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等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。

在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。