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去磷硅玻璃

　　该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，pocl3与o2反应生成p2o5淀积在硅片表面。p2o5与si反应又生成sio2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的sio2，单晶硅组件多少钱，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。能够溶解二氧化硅是因为与二氧化硅反应生成易挥发的气体。若过量，反应生成的会进一步与反应生成可溶性的络和物六。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，延边朝---自治州组件多少钱，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，滴胶板组件多少钱，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。