芯片的背部减薄制程
磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片,外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后,还需要切割成一粒粒的芯片,根据芯片的大小,一片2英寸的外延片可以切割成为数千万个chip。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近,由于蓝宝石的硬度以及脆性,普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近,然后再使用镭射进行切割。
扩散
扩散是为电池片制造---,是为电池片制造p-n结,pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源,液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。
pocl3在大于600℃的条件下分解生成(pcl5)和(p2o5),pcl5对硅片表面有腐蚀作用,当有氧气o2存在时,报废组件收购,pcl5会分解成p2o5且释放出,光优组件收购,所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅和磷原子,生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(psg),磷原子向硅中扩散,制得n型半导体。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
一、硅片检测
硅片是太阳能电池片的载体,硅片的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,组件收购,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、p/n型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,收购光伏组件厂,其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。
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