刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，双玻组件价格，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，组件回收价格，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，太阳能组件的价格，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
形成“隐裂”的原因
外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。
高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，沈阳组件价格，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。
原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。
电路板清洗技术
1、水清洗技术
水清洗技术是今后清洗技术的发展方向，须设置纯净水源和排放水处理车间。它以水作为清洗介质，并在水中添加表面活性剂、助剂、缓蚀剂、螯合剂等形成一系列以水为基的清洗剂。可以除去水溶剂（助焊剂为水溶性）和非极性污染物。其清洗工艺特点是：
1） 安全性好，不燃烧、基本---；
2） 清洗剂的配方组成自由度大，对极性与非极性污染物都容易清洗掉，清洗范围广;
3） 多重的清洗机理。水是极性很强的极性溶剂，除了溶解作用外，还有皂化、乳化、置换、分散等共同作用，使用超声比在中有效得多；
4） 作为一种天然溶剂，其价格比较低廉，来源广泛。
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