芯片的背部减薄制程
1. grinding制程：
对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，旧组件回收，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，济南组件回收，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。
焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法verneuil进行生产，经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下，当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的，国内现在很多人士尤其是迷恋它，看上去透明无色以为纯度---，回收太阳能组件，其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体，不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度，太阳能组件板回收，fe，ti，cr，mg等元素的熔化温度已经在2200度左右，这些技术杂质气化温度要到达4000度以上，这些金属杂质或者金属氧化物2050度---不会气化，他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质，如镁，钙等，但对里层的杂质---作用。
---设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等---设施。消防和设备对于---安全和持续发展也显得尤为重要。一条年产50mw能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800kw左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到电子级水gb/t11446.1-1997中ew-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。真空排气量在300m3/h左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以---生产安全。另外，燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的---设施。
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