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大多数蓝宝石基板厂家为了追求稳定性，多采用日本的研磨机台以及原厂的多晶钻石液。但是随着成本压力的升高以及国内耗材水准的提升，目前国内的耗材产品已经可以替代原厂产品，并且---降低成本。

说到多晶钻石液不妨多说两句，对于多晶钻石液的微粉部分，一般要求颗粒度要集中，形貌要规整，这样可以提供---的切削力且表面刮伤比较均匀。国内可以生产多晶钻石微粉的厂家有北京国瑞升和四川久远，而国瑞升同时可以自己生产钻石液，因此在品质与成本上具有较大优势。美国的diamond innovation近推出了“类多晶钻石” ，实际是对普通单晶钻石的一种改良，虽然比较坚固的结构能提供较高的切削力，但是同时也更容易造成较深的刮伤。

 抛光：多晶钻石虽然造成的刮伤明显小于单晶钻石，但是仍然会在蓝宝石表面留下明显的刮伤，因此还会经过一道cmp抛光，吕梁组件多少钱，去除所有的刮伤，留下的表面。cmp工艺原本是针对矽基板进行平坦化加工的一种工艺，实验组件多少钱，现在对蓝宝石基板同样适用。经过cmp抛光工艺的蓝宝石基板在经过层层检测，达到合格准的产品就可以交给外延厂进行磊晶了。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。