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刻蚀

在扩散工序，单晶硅组件多少钱，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，回收组件多少钱，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，邢台组件多少钱，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

扩散

扩散是为电池片制造---，是为电池片制造p-n结，pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。

pocl3在大于600℃的条件下分解生成（pcl5）和（p2o5），pcl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气o2存在时，pcl5会分解成p2o5且释放出，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子，实验组件多少钱，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（psg），磷原子向硅中扩散，制得n型半导体。