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芯片的背部减薄制程

1. grinding制程：

对外延片以lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在lapping之前加入grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行lapping制程，以达到---的表面品质。

大多数蓝宝石基板厂家为了追求稳定性，多采用日本的研磨机台以及原厂的多晶钻石液。但是随着成本压力的升高以及国内耗材水准的提升，目前国内的耗材产品已经可以替代原厂产品，并且---降低成本。

说到多晶钻石液不妨多说两句，对于多晶钻石液的微粉部分，一般要求颗粒度要集中，形貌要规整，这样可以提供---的切削力且表面刮伤比较均匀。国内可以生产多晶钻石微粉的厂家有北京国瑞升和四川久远，回收太阳能光伏组件，而国瑞升同时可以自己生产钻石液，因此在品质与成本上具有较大优势。美国的diamond innovation近推出了“类多晶钻石” ，单晶组件回收，实际是对普通单晶钻石的一种改良，虽然比较坚固的结构能提供较高的切削力，四平组件回收，但是同时也更容易造成较深的刮伤。

 抛光：多晶钻石虽然造成的刮伤明显小于单晶钻石，但是仍然会在蓝宝石表面留下明显的刮伤，因此还会经过一道cmp抛光，去除所有的刮伤，留下的表面。cmp工艺原本是针对矽基板进行平坦化加工的一种工艺，现在对蓝宝石基板同样适用。经过cmp抛光工艺的蓝宝石基板在经过层层检测，达到合格准的产品就可以交给外延厂进行磊晶了。