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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,太阳能组件板回收,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
太阳能电池板安装角度
以我国为例,太阳能电池板的安装倾斜角度一般为40度左右,报废组件回收,一般为正南方。选择理想的倾斜角度可以使太阳能电池板的发电量尽量变大,一般冬季和夏季的发电量就会有所差别,因为太阳辐射量不同。
在我国太阳能电池板的方位角一般都选择正南方向,这样可以使它的利用率大化,发电量也大。
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玻璃的透水率几乎为零,不需要考虑水汽进入组件诱发eva胶膜水解的问题。传统晶体硅太阳能组件的背板有一定的透水率,透过背板的水汽使劣质的eva树脂很快分解析出---,而导致组件内部发生电化学腐蚀,增加了出现pid衰减和蜗牛纹发生的概率。其尤其适用于海边、水边和较高湿度地区的光伏电站。
玻璃是无机物二氧化硅,与随处可见的沙子属同种物质,单晶组件回收,耐候性、耐腐蚀性超过任何一种已知的塑料。紫外线、氧气和水分导致背板逐渐降解,表面发生粉化和自身断裂。使用玻璃则一劳永逸的解决了组件的耐候问题,也---结束了pvf和pvdf哪个更耐候的,更不用提耐候性、阻水性差的pet背板、涂覆型背板和其它低端背板。该特点使双玻组件适用于较多酸雨或者盐雾大的地区的光伏电站。
双玻组件不需要铝框,除非在玻璃表面有大量露珠的情况外。没有铝框使导致pid发生的电场无法建立,其---降低了发生pid衰减的可能性。
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