回收1亿韵汇新能源-破损组件收购-朝阳组件收购

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    2023-5-17

武先生
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多晶硅生产流程  

(1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅, 其化学反应sio2+c***si+co2↑

(2)为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---(hcl)与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的(sihcl3)。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度,该反应是放热的。同时形成气态混合物(н2,нс1,siнс13,sic14,si)。

(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝siнс13,sic14,而气态н2,破损组件收购,нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13,sic14,净化(多级精馏)。

(4)净化后的采用高温还原工艺,以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。

多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒(直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根),在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应,并生成多晶硅。剩余部分同н2,нс1,siнс13,sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。










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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 : sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加---体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性---的各种化学基团,因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化( < 450 ℃ )。

2. 节省能源,降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类:平板式和管式。

按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( roth & rau  )。

直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。  

间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ,而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多,这对---生产尤其重要。












启动性能

启动性能是指逆变器带负载启动的能力和动态工作的性能。逆变器在额定负级下应能---其正常启动。一般电阻性负载工作时,逆 变器启动性能较好。但如果是电感性负载,薄膜组件收购,如电动机、冰箱、空调或大功率水泵启动时,功率可能是额定功率的几倍以上。通常感性负载启动时,逆变器将承受较大的浪涌功率。故逆变器的启动性能 要求在感性或其他负载启动时,逆变器内部器件能承受多次满负荷启动而不致使功率器件损坏。








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