多晶硅生产流程
(1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅, 其化学反应sio2+c***si+co2↑
(2)为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---(hcl)与之反应在一个流化床反应器中,单晶硅组件多少钱,生成拟溶解的(sihcl3)。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度,该反应是放热的。同时形成气态混合物(н2,нс1,siнс13,sic14,si)。
(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,工程拆卸组件多少钱,需要分解:过滤硅粉,冷凝siнс13,sic14,而气态н2,нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13,sic14,净化(多级精馏)。
(4)净化后的采用高温还原工艺,以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。
多晶硅的反应容器为密封的,用电加热硅池硅棒(直径5-10毫米,长度1.5-2米,数量80根),在1050-1100度在棒上生长多晶硅,直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应,并生成多晶硅。剩余部分同н2,нс1,siнс13,sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离,或再利用,或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的,从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
当电路工作异常,mos功率管vt2或vt4的温升大幅提高,热敏电阻rt的阻值超过约4kω时,ic1内部比较器1的输出将由低电平翻转为高电平,ic1的3脚也随即翻转为高电平状态,致使芯片内部的pwm 比较器、“或”门以及“或非”门的输出均发生翻转,输出级三极管vt1和三极管vt2均转为截止状态。当ic1内的两只功率输出管截止时,图1电路中的vt1、vt3将因基---低电平而饱和导通,vt1、vt3导通后,广西壮族自治组件多少钱,功率管vt2和vt4将因栅极无正偏压而处于截止状态,逆变电源电路停止工作。
ic1的1脚---电路的vdz1、r5、vd1、c2、r6构成12v输入电源过压保护电路,稳压管vdz1的稳压值决定了保护电路的启动门限电压值,vd1、c2、r6还组成保护状态维持电路,只要发生瞬间的输入电源过压现象,保护电路就会启动并维持一段时间,以---后级功率输出管的安全。考虑到汽车行驶过程中电瓶电压的正常变化幅度大小,通常将稳压管vdz1的稳压值选为15v或16v较为合适。
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收购碎电池片是啥收购碎电池片是综合利用的这种。指从废弃物中提取的有效化学物质历经物理学或机械加工制造变成再运用的工艺品。比如废夹层玻璃、废旧金属、废旧电池等的综合利用。并指以将再度转让的方法回收二手货。电池片中带有原生态硅,关键收购的就是说硅。
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