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扩散工艺
扩散目的
在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源，形成 pn 结。
扩散原理
pocl 3 在高温下 （ >; 600 ℃ ） 分解生成 （ pcl 5 ） 和 （ p 2 o 5 ）， 其反应式如下 ：
5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5
生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ sio 2 ） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：
2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2 + 4ppocl 3
热分解时，如果没有外来的氧（ o 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 pcl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下， pcl 5 会进一步分解成 p2o 5 并放出（ cl 2 ）其反应式如下：
4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2
生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用，生成 sio 2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，光伏组件的价格，为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面， p 2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。
ic1的3脚---电路的c3、r5是构成上电软启动时间维持以及电路保护状态维持的关键性电路，多晶组件价格，实际上不管是电路软启动的控制还是保护电路的启动控制，其终结果均反映在ic1的3脚电平状态上。电路上电或保护电路启动时，ic1的3脚为高电平。当ic1的3脚为高电平时，将对电容c3充电。这导致保护电路启动的诱因消失后，沧州组件价格，c3通过r5放电，因放电所需时间较长，使得电路的保护状态仍得以维持一段时间。
当ic1的3脚为高电平时，还将沿r8、vd4对电容c7进行充电，同时将电容c7两端的电压提供给ic2的4脚，使ic2的4脚保持为高电平状态。从图2的芯片内部电路可知，当4脚为高电平时，将抬高芯片内死区时间比较器同相输入端的电位，使该比较器输出保持为恒定的高电平，经“或”门、“或非”门后使内置的三极管vt1和三极管vt2均截止。图1电路中的vt5和vt8处于饱和导通状态，其后级的mos管vt6和vt9将因栅极无正偏压而都处于截止状态，逆变电源电路停止工作。
当电路工作异常，mos功率管vt2或vt4的温升大幅提高，热敏电阻rt的阻值超过约4kω时，ic1内部比较器1的输出将由低电平翻转为高电平，ic1的3脚也随即翻转为高电平状态，致使芯片内部的pwm 比较器、“或”门以及“或非”门的输出均发生翻转，输出级三极管vt1和三极管vt2均转为截止状态。当ic1内的两只功率输出管截止时，图1电路中的vt1、vt3将因基---低电平而饱和导通，vt1、vt3导通后，功率管vt2和vt4将因栅极无正偏压而处于截止状态，逆变电源电路停止工作。
ic1的1脚---电路的vdz1、r5、vd1、c2、r6构成12v输入电源过压保护电路，稳压管vdz1的稳压值决定了保护电路的启动门限电压值，vd1、c2、r6还组成保护状态维持电路，只要发生瞬间的输入电源过压现象，保护电路就会启动并维持一段时间，以---后级功率输出管的安全。考虑到汽车行驶过程中电瓶电压的正常变化幅度大小，通常将稳压管vdz1的稳压值选为15v或16v较为合适。
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