客退组件回收-组件回收-回收1亿韵汇新能源

上电时电容c1两端的电压由0v逐步升高，只有当c1两端电压达到5v以上时，才允许ic1内部的脉宽调制电路开始工作。当电源断电后，c1通过电阻r2放电，---下次上电时的软启动电路正常工作。

ic1的15脚---电路的r1、rt、r2组成过热保护电路，rt为正温度系数热敏电阻，常温阻值可在150 ω～300ω范围内任选，适当选大些可提高过热保护电路启动的灵敏度。

热敏电阻rt安装时要紧贴于mos功率开关管vt2或vt4的金属散热片上，这样才能---电路的过热保护功能有效。

ic1的15脚的对地电压值u是一个比较重要的参数，图1电路中u≈vcc×r2÷ (r1+rt+r2)v，常温下的计算值为u≈6.2v。结合图1、图2可知，正常工作情况下要求ic1的15脚电压应略高于16脚电压(与芯片14脚相连为5v)，其常温下6.2v的电压值大小正好满足要求，并略留有一定的余量。

多晶硅生产流程　　

（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应sio2+c***si+co2↑

（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---（hcl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（sihcl3）。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（н2，нс1，siнс13，sic14，si）。

（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝siнс13，sic14，而气态н2，нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13，sic14，净化（多级精馏）。

（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。

多晶硅的反应容器为密封的，太阳能拆卸组件回收，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，组件回收，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同н2，нс1，siнс13，回收组件hydgphs，sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。