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逆变器未来发展方向

社会日益电气化的现在，各种产品中逆变器的要求也越来越高，需求量也越来越大。那么在逆变器快速发展的同时，它的发展趋势又是怎样的呢？

1、高频化。

逆变器开关频率的提高能够有效的减少装置的体积和重量，同时还能够消除变压器和电感的音频噪声。在---输出电压的动态响 应能力的时候也减小了装置的体积和。

2、性能化。

要求它的稳压性能好， 空载及负载时输出电压有效值都要稳定；另外，波形的也要求要高。对突加或突减负载时输出电压的瞬态响应着一特性要好。

3、并联及模块化。

现 在的逆变器已经向着大功率和---性在发展，所以为了提高系统的---性， 就必须要实现模块化。

4、小型化。

这里的小型化指的就是变压器 的小型化。

5、高输入功率因数化。

6、数字化。

7、智能化。

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影响因素

1 ．频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率（ >;4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。

3 ．衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以---沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数