车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
经仔细查阅、对比tl494cn、ka7500c两种芯片的原厂pdf资料,发现这两种芯片的外部引脚排列完全相同,就连其内部的电路也几乎完全相同,区别仅仅是两种芯片的内部运放输入端的基准源大小略微有点差别,对电路的功能和性能没有影响,因此这两种芯片完全可以相互替代使用,并且代换时芯片的---电路的参数不必做任何的修改。经实际使用过程中的成功代换经验,也证实了这种代换的可行性和代换后电路工作性能的---性。
由于目前市场上已经很难找到ka7500c芯片了,并且即使能够买到,其价格也至少是tl494cn芯片的两倍以上,因此这里介绍的使用tl494cn直接代换ka7500c芯片的成功经验和方法,拆卸组件收购,对于车载逆变器产品的生产厂商和广大维修人员来说确实是一个---的消息。
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扩散工艺
扩散目的
在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源,形成 pn 结。
扩散原理
pocl 3 在高温下 ( >; 600 ℃ ) 分解生成 ( pcl 5 ) 和 ( p 2 o 5 ), 其反应式如下 :
5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5
生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 , 生成二氧化硅 ( sio 2 ) 和磷原子 , 其反应式如下 :
2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2 + 4ppocl 3
热分解时,如果没有外来的氧( o 2 )参与其分解是不充分的,生成的 pcl5 是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下, pcl 5 会进一步分解成 p2o 5 并放出( cl 2 )其反应式如下:
4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2
生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用,生成 sio 2 和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面, p 2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子,并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。
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收购碎电池片的方式
电池片切开:将单晶硅棒切割成具备几何图形规格的薄硅片。此全过程中造成的硅粉选用水淋,造成污水和硅渣。
电池片淬火:双工装夹具热氧化炉经n2吹扫后,用红外线加温至300~500℃,鹰潭组件收购,硅片表层和co2产生反映,使硅片表层产生sio2保护层厚度。
电池片倒角:将淬火的硅片开展整修成圆弧状,避免硅片边沿裂开及晶格常数缺点造成,提升磊晶层及光阻层的平整度。此全过程中造成的硅粉选用水淋,造成污水和硅渣。
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