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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,收购组件多少钱,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
随着并网逆变器生产企业对防孤岛试验检测装置的大量需求,测试---组件多少钱,市场上已出现一些不法商贩,将交流电源老化用的rlc负载,当作精密rlc负载销售,以次充好---暴利。 主要表现为:所销售的是三无产品---无---、无计量检测报告、无的老化负载,这些公司一定会要求客户先付款再发货,产品无法通过金太阳标准验收时,主动权已经不在用户手上了。
根据光伏并网逆变器金太阳新标准cnca/cts 0004-2009a规定,要求出厂试验检测项目(包括防孤岛效应保护试验等共11个项目),都必须配备相应检测设备,否则无法获得金太阳。
2012年2月,、科技部及---联合发布了<关于做好2012年金太阳工作的通知>。根据通知要求,对金太阳工程所采用的光伏逆变器的生产企业---要求作出明确规定:“附件1---金太阳工程关键设备基本要求(2012年)(二)生产企业---要求:1、在------注册的独立法人,注册资本金在3000万元以上。2、具有三年以上独立生产、供应和售后服务的能力,2011年实际发货量不低于50mwp(以海关报关单或销售为准)。3、配备直流源、功率分析仪、示波器、电能分析仪、绝缘耐压测试仪、残余电流测试仪、漏电流测试仪、精密rlc可调负载等出厂检验设备”。
常见车载逆变器产品的电路图及工作原理
目前市场上销售量常见的车载逆变器的输出功率为70w-150w,逆变器电路中主要采用tl494或ka7500芯片为主的脉宽调制电路。一款常见的车载逆变器电路原理图见图1。
车载逆变器的整个电路大体上可分为两大部分,每部分各采用一只tl494或ka7500芯片组成控制电路,其中
一部分电路的作用是将汽车电瓶等提供的12v直流电,通过高频pwm (脉宽调制)开关电源技术转换成30khz-50khz、220v左右的交流电;
二部分电路的作用则是利用桥式整流、滤波、脉宽调制及开关功率输出等技术,将30khz~50khz、220v左右的交流电转换成50hz、220v的交流电。
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