组件价格-亿韵汇旧组件回收-太阳能光伏组件价格

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影响因素

1. 温度

温度过高，首先就是 ipa不好控制，温度一高， ipa 的挥发很快，气泡印就会随之出现，组件清洗价格，这样就---减少了 pn 结的有效面积，反应加剧 ， 还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。

可控程度：调节机器的设置，可以---的调节温度。

2. 时间

金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以调节时间。

3.ipa

1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 naoh 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯 naoh 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融， ipa 明显减弱 naoh 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向---，有利于金字塔的成形。---含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向---因子又趋于 1 。

可控程度：根据配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。

4.naoh

形成金字塔绒面。 naoh浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受 naoh 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随 naoh 浓度变化比较---，浓度高的 naoh 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积。 naoh 浓度超过一定界，各向---因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与 ipa 类似，控制精度不高。

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刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物而被去除。

化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽   ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4.   压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。