宁夏回族自治组件回收-回收1亿韵汇新能源-回收阀组件

近年来，随着太阳能发电产业的迅速发展，光伏应用的领域正在逐渐扩大，各种光伏新产品不断涌现。在照明路灯中，作为技术和艺术相结合的太阳能照明系统-太阳能路灯，已开始在美国、法国、日本等发达很多地区得到广泛应用，在我国则处于起步阶段。目前国内太阳能路灯普遍存在的问题是功率小（光照度相当于100w以下的白炽灯），在遇到连续阴雨时，只能工作5天左右，且在大面积使用时，其启动的时差---十多分钟，从而---影响了阳光电灯的推广和应用。

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影响因素

1 ．频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率（ >;4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。

3 ．衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以---沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，太阳能拆卸组件回收，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数