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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加---体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ < 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，收购组件多少钱，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对---生产尤其重要。

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外扩散种类

1.稳定源外扩散：在稳态外扩散的标准下，企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。

2.---源外扩散：在再---全过程中，外扩散是在---源的标准下进有的，全部外扩散全过程的残渣源，---于外扩散前积淀在硅片表层的限薄层内的残渣总产量，沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。

生产车间应用的是二步外扩散：预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散，关键是促使硅片表层汽体浓度值相同，维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是---源外扩散，而且在主外扩散后进入大氮汽体，做为推动汽体，增加pn结---。