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应用充电电池现况应用数多的工业生产充电电池为铅酸蓄电池，铅占电瓶固定成本50%左右，关键选用火法、湿法冶金加工工艺及其固相电解法复原技术性。机壳为塑胶，能够再造，基础保持无污染。

中小型再次充电电池现阶段的应用总产量只能上亿只，且大部分容积较小，废旧电池运用使用价值较低，再加应用分散化，绝大多数作城市垃圾处理，其收购存有着成本费和管理工作的难题，再造运用也存有必须的技术性难题。

废旧电池做为生活垃圾处理开展集中处理时，工程拆卸组件多少钱，废旧电池中的hg、cd、pb、zn等金属镉部分在高溫下人空气，部分变成脱硫石膏，造成污染。

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影响因素

1 ．频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率（ >;4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。

3 ．衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以---沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数