香港---行政组件回收-亿韵汇物资回收-太阳能光伏组件回收

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stf 印制：

1级：

标识要有虚印、粗印现象（字母线宽度应小于 0.22mm   ）但仍可辨识时作为 1级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的 1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。

b 级：

标识要有虚印、粗印现象，字母线宽度应小于 0.22mm   ，但仍可辨识时，如实心“ p ”，若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的

1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。

c 级：

若字母变形或无法辨识时直接降为 c 级。

新的标准与旧的相同

缺陷片：

1．   主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时，但仍有利用价值的片子。

2．   由于存储不当造成成电极氧化时，直接以报废片处理

3．   仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片，如果还有利用价值，则租铺位缺陷片处理

4．   完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。

5．   叠片仍有利用价值的作为缺陷片，如果全叠片则作为报废片处理。

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影响因素

1 ．频率

射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率（ >;4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。

3 ．衬底温度

pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，香港---行政组件回收，以---沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数