焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法verneuil进行生产,青岛组件回收,经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下,当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化,二手组件回收,熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的,国内现在很多人士尤其是迷恋它,看上去透明无色以为纯度---,其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体,不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度,回收组件hydgphs,fe,ti,cr,mg等元素的熔化温度已经在2200度左右,这些技术杂质气化温度要到达4000度以上,这些金属杂质或者金属氧化物2050度---不会气化,他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质,如镁,钙等,但对里层的杂质---作用。
印刷电路板的制造
凡直径小于150um以下的孔在业界被称为微孔(microvia),利用这种微孔的几何结构技术所作出的电路可以提高组装、空间利用等等的效益,同时对于电子产品的小型化也有其---性。
对于这类结构的电路板产品,业界曾经有过多个不同的名称来称呼这样的电路板。例如:欧美业者曾经因为制作的程序是采用序列式的建构方式,因此将这类的产品称为sbu (sequence build up process),一般翻译为“序列式增层法”。至于日本业者,则因为这类的产品所制作出来的孔结构比以往的孔都要小很多,因此称这类产品的制作技术为mvp (micro via process),一般翻译为“微孔制程”。也有人因为传统的多层板被称为mlb (multilayer board),因此称呼这类的电路板为bum (build up multilayer board),一般翻译为“增层式多层板”。
多晶硅电池片
多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料,而制造这些材料工艺复杂,电耗很大,在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。目前太阳能电池使用的多晶硅材料,多半是含有大量单晶颗粒的集合体,或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100~300欧姆?厘米的多晶块料或单晶硅头尾料,经破碎,用1:5的和混合液进行适当的腐蚀,然后用去离子水冲洗呈中性,并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料,加入适量硼硅,放人浇铸炉,在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟,b级组件回收,然后注入石墨铸模中,待慢慢凝固冷却后,即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体,以便切片加工成方形太阳电池片,可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多,其光电转换效率约12%左右,稍低于单晶硅太阳能电池,但是材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。
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