多晶硅电池片
多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。目前太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆?厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的和混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，电池组件价格，加入适量硼硅，放人浇铸炉，多晶组件的价格，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，其光电转换效率约12％左右，稍低于单晶硅太阳能电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。
隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
预防光伏组件隐裂的要点
在生产过程中以及后续的存放、运输、安装中避免电池片受到不当的外力介入，海南组件价格，也注意储存环境温度变化范围。
在焊接过程中电池片要提前保温（手焊）烙铁温度要符合要求。
太阳电池组件要挑选电性能参数一致的单体太阳电池进行组合和封装，以---太阳电池的组合损失小。制作太阳电池组件要根据标称的工作电压确定单体太阳电池的串联数，根据标称的输出功率来确定太阳电池的并联数。用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流。后用框架和材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳能电池组件组成各种大小不同的太阳能电池方阵，亦称太阳能电池阵列。单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，实验室成果也有20%以上的。
等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，ic级别的纯度要求达到9n以上（99.9999999%），晶硅组件价格，区熔单晶硅片甚至达到11n（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（cz）和区熔法（fz）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
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