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等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率---35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收,泰安组件回收,有助于提高光生电流,进而提高转换效率:另一方面,薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小暗电流,提升开路电压,提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下,通过对石墨舟的导电,旧组件回收,使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
隐裂、热斑、pid效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
1. 什么是“隐裂”
隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷,通俗的讲,就是一些肉眼不可见的细微(micro-crack)。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性,多晶组件回收,十分容易发生。
在晶体硅组件生产的工艺流程中,许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的---原因,可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本,晶硅电池片向越来越薄的方向发展,降低了电池片防止机械破坏的能力,更容易产生隐裂。
多晶硅电池片
多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料,而制造这些材料工艺复杂,电耗很大,在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。目前太阳能电池使用的多晶硅材料,多半是含有大量单晶颗粒的集合体,或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100~300欧姆?厘米的多晶块料或单晶硅头尾料,回收光伏组件,经破碎,用1:5的和混合液进行适当的腐蚀,然后用去离子水冲洗呈中性,并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料,加入适量硼硅,放人浇铸炉,在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟,然后注入石墨铸模中,待慢慢凝固冷却后,即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体,以便切片加工成方形太阳电池片,可提高材制利用率和方便组装。多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多,其光电转换效率约12%左右,稍低于单晶硅太阳能电池,但是材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。
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